層狀一島狀結(jié)合生長(又稱Stranski-Krastanoy)模式。在最開始一兩個原子層厚度的層狀生長之后，生長模式轉(zhuǎn)化為島狀模式。導致這種模式轉(zhuǎn)變的物理機制較復雜，往往在基片和薄膜原子相互作用特別強的情況下，才容易出現(xiàn)這種生長模式。首先在基片表面生長1層一2層單原子層，這種二維結(jié)構強烈地受到基片晶格的影響，晶格常數(shù)有較大的畸變。然后再在這原子層上吸附入射原子，并以核生長的方式生成小島，最終形成薄膜。在半導體表面上形成金屬薄膜時，常常是這種層一島生長型，如在Ge的表面蒸發(fā)Gd，在Si的表面蒸發(fā)Bi,Ag等都屬這種類型。